NO Gas
반도체 게이트 산질화 공정용 초고순도 NOUltra-high purity nitric oxide for gate oxynitride & nitridation processesUltrahochreines Stickstoffmonoxid für Gate-Oxynitridations- und Nitridierungsprozesse in der Halbleiterfertigung适用于栅极氧氮化及氮化工艺的超高纯一氧化氮(NO)ゲート酸窒化・窒化プロセス向け超高純度一酸化窒素(NO)
CAS No. 10102-43-9 | MW: 30.01 g/mol | Formula: NO
제품 규격Product SpecificationsProduktspezifikationen产品规格製品仕様
| 항목ParameterParameter项目項目 | 규격SpecificationSpezifikation规格規格 | 단위UnitEinheit单位単位 |
|---|---|---|
| Purity (순도) | 99.8 ~ 99.99% | vol% |
CoA 제공CoA ProvidedCoA bereitgestellt提供CoACoA提供
주요 적용 공정Key ApplicationsHauptanwendungen主要应用工艺主な適用プロセス
게이트 산질화Gate OxynitrideGate-Oxynitrid栅极氧氮化ゲート酸窒化
SiON 게이트 유전막 형성SiON gate dielectric formationBildung des SiON-Gate-DielektrikumsSiON栅极介电层形成SiONゲート絶縁膜形成
질화 어닐링Nitridation AnnealingNitridierungsglühen氮化退火窒化アニール
계면 품질 향상 열처리Interface quality improvementWärmebehandlung zur Verbesserung der Grenzflächenqualität界面质量提升热处理界面品質向上のための熱処理
DRAM·NANDDRAM & NAND FlashDRAM & NAND-FlashDRAM与NAND闪存DRAM・NANDフラッシュ
미세 공정 산화막 제어Oxide control for advanced nodesOxidschichtkontrolle für fortschrittliche Prozessknoten先进制程节点的氧化层控制先端プロセスノード向け酸化膜制御
디스플레이Display (OLED/LCD)Display (OLED/LCD)显示器(OLED/LCD)ディスプレイ(OLED/LCD)
TFT 박막 트랜지스터 공정TFT thin-film transistor processTFT-Dünnschichttransistor-ProzessTFT薄膜晶体管工艺TFT薄膜トランジスタプロセス
